삼성전자가 세계 최대 반도체 설계 자산(IP) 기업 중 하나인 ‘Arm’과 손잡고, 게이트올어라운드(GAA) 공정 기반의 최첨단 반도체를 만들기로 했다.
삼성전자 파운드리(위탁생산) 사업부는 영국 Arm의 차세대 시스템온칩(SoC) IP를 자사의 GAA 공정에 인스타 좋아요 구매 최적화하는 협력을 강화한다고 21일 밝혔다. 삼성전자는 이를 통해 팹리스 기업의 GAA 공정에 대한 접근성을 높이고, 차세대 제품 개발에 소요되는 시간과 비용을 최소화한다는 방침이다.
GAA는 반도체 미세화의 인스타 좋아요 구매 한계를 극복하고 데이터 처리 속도와 전력 효율을 높이는 차세대 기술이다. 현재 반도체 공정에 사용되고 있는 ‘핀펫’ 구조에서 한 차원 진화한 기술이다.
GAA 구조의 트랜지스터는 전류가 흐르는 채널의 4면을 게이트가 모두 감싸는 형태다. 3면만 감싸는 핀펫 공정보다 전류 흐름을 더욱 세밀하게 제어할 수 있어 차세대 파운드리 공정의 ‘게임 체인저’로 평가받는다.
삼성전자가 2022년 3나노 공정에 GAA를 가장 먼저 도입했다. 글로벌 파운드리 1위 회사인 TSMC는 GAA를 2나노 공정부터 활용하려 하고 있다.
삼성전자는 Arm과의 협력 확대를 통해 양사 고객들에게 생성형 인공지능(AI) 시대에 걸맞은 혁신을 지원할 수 있을 것으로 기대한다.
계종욱 삼성전자 파운드리 사업부 디자인 플랫폼 개발실 부사장은 삼성전자와 Arm은 다년간 쌓아온 견고한 파트너십을 통해 최첨단 기술과 노하우를 축적해왔다며 이번 설계 기술 최적화를 통해 팹리스 고객들에게 GAA 공정 기반 초고성능, 초저전력 코어텍스(Cortex)-CPU(중앙처리장치)를 선보이겠다고 밝혔다.
두 회사의 협업으로 파운드리를 찾는 팹리스 고객들은 생성형 인공지능(AI)에 걸맞은 SoC 제품 개발 과정에서 Arm의 최신형 CPU 접근이 용이해진다는 설명이다.
삼성과 Arm은 팹리스 기업에 제품을 적기에 공급하면서도 우수한 ‘소비전력·성능·면적’(PPA)을 구현하는 데 초점을 맞출 계획이다.